DDR6 promete duplicar a largura de banda da DDR5 em next gen de memorias da Micron

Em um webinar de tecnologia pra investidores nesta terça-feira (21), a Micron detalhou a geracao de memorias que vem depois da DDR5. A DDR6 pra servidores terá mais do dobro da largura de banda da DDR5, e a LPDDR6 pra celulares e Data centers vai consumir mais de 35% menas energia que a LPDDR5. As duas se respaldam no nó de fabricação 1δ, que inicia a escalar no segundo semestre de 2027.

No msm enredo entram HBM empilhada diretamente a respeito de o processador, a vHBM, e a NAND G11, com mais de 400 camadas e o dobro da densidade da current-gen. A exibição, de 33 paginas, apresenta uma ressalva relevante na própria fonte, pois os lucros são metas de engenharia, e o módulo RDIMM de 1 TB mencionado é “uma capacidade, nao um compromisso de produto”. O enredo de DRAM da Micron: 1γ em desenvolvimento, 1δ no segundo semestre de 2027 e 3D DRAM em produção Foto: Divulgacao/Micron Link de aquisicao de memoria DDR5 Kingston Fury na KaBuM Link de aquisicao de SSD Micron Vital na Amazon O que a Micron prometeu pra DDR6 e LPDDR6?

A DDR6 é descrita como memoria de alta confiabilidade pra servidores, com a companhia se colocando como parceira principal de clientes-chave pra fornecer os 2x de largura de banda em aplicações de Data center. O padrão da JEDEC ainda nao foi encerrado, e a indústria trabalha com comercializacao entre 2028 e 2029, de modo que a Micron declaração em liderança de implementação, nao em data de venda. A DDR6 chega com mais do dobro da largura de banda da DDR5, voltada a servidores.

Foto: Divulgacao/Micron A Micron está posicionada pra ser lider na implementação da DDR6. Micron, no webinar de tecnologia e produtos Ja a LPDDR6 ganha mais destaque, pq atende dois setores de uma vez. No celular, a economia de mais de 35% a respeito de a LP5, e acima disso em algumas densidades, estica a bateria.

No Data center, a Micron ja trabalha com a Meta pra colocar a LPDDR6 em servidores de AI, com um white paper conjunto a respeito de escala de banda com baixo consumo. Memoria de celular virou candidata a memoria de inferência. Tudo isso depende do nó 1δ, quinta geracao continuada em que a Micron diz chegar antes das rivais.

Ele apresenta lucro de densidade de bits na casa dos 20% e poucos a respeito de o 1γ, controle de processo em escala de angstrom, CMOS com HKMG e fabricação nos Estados Juntados. Em seguida vêm o 1ε, com ligação de wafers, e os nós ζA e ηA, com Europa Universalis 5 de alta abertura numérica. A companhia descartou a célula 4F² por gasto e complexidade e aposta em 3D DRAM, que cresce pra cima quando